在射频偏压辅助下,氧等离子体成功地对金刚石膜进行了刻蚀,刻蚀速率最高可达8μm/h,偏压频率和直流自偏压大小均会影响刻蚀速率和刻蚀表面形貌。
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基底直流自偏压的提高能增强离子轰击效应和增加氧原子/氧离子密度,因而是决定刻蚀速率的一个关键因素。
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仅简单地通过调整液晶光闪的工作电压,使其处于非线性变换态即可完成对图像的实时微分运算。
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根据背靠背直流系统的技术特点,详细计算了由于触发不平衡和交流系统正序二次谐波在换流变压器中产生的直流偏磁电流。
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通过在传统推挽电路的变压器原边增加箝位电容,抑制了开关管电压尖峰和电路的偏磁。
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恒定跨导偏置电路的使用减小了低噪声放大器的增益随工艺、电压、温度变化的偏差。
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